在24日的“2016中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨第五屆中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會(huì)”上，與會(huì)領(lǐng)導(dǎo)及嘉賓發(fā)言一致顯示，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展將呈現(xiàn)三大新趨勢(shì)：自主創(chuàng)新將被大力扶持、存儲(chǔ)器是今年的發(fā)展重點(diǎn)、超越摩爾領(lǐng)域?qū)⒊蔀樾聼狳c(diǎn)。

中科院院士倪光南、中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春一致認(rèn)為，中國(guó)集成電路發(fā)展要走自主創(chuàng)新的道路。葉甜春強(qiáng)調(diào)在中國(guó)集成電路有了一定基礎(chǔ)后，提倡自主創(chuàng)新，尤其是原始創(chuàng)新和集中創(chuàng)新是當(dāng)務(wù)之急；倪光南則對(duì)比聯(lián)想、華為的發(fā)展，表示中國(guó)集成電路還是要走自主創(chuàng)新道路。

存儲(chǔ)器將是今年的發(fā)展重點(diǎn)。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（下稱大基金）總經(jīng)理丁文武表示，大基金今年的重點(diǎn)之一就是支持存儲(chǔ)器發(fā)展。據(jù)悉，武漢新芯二期存儲(chǔ)器項(xiàng)目、江蘇淮安德科瑪圖像傳感器IDM項(xiàng)目、重慶AOS12寸MOSFET功率半導(dǎo)體項(xiàng)目均將于3月份啟動(dòng)。

基于物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，超越摩爾領(lǐng)域正在受到越來(lái)越多的關(guān)注。工信部副部長(zhǎng)懷進(jìn)鵬多次提到要大力發(fā)展超越摩爾領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品，葉甜春則表示IC未來(lái)的發(fā)展方向在物聯(lián)網(wǎng)，MEMS與集成電路的融合將是趨勢(shì)。